报告题目：基于冷烧结技术的电子陶瓷研究进展

报告人：西安交通大学郭靖研究员

时间：2024年5月13日下午14：30

地点：华南理工大学五山校区14-305会议室

欢迎广大师生参加！

材料科学与工程学院

2024年5月9日

报告摘要：传统烧结方法制备电子陶瓷通常需要1000℃以上高温，不仅工艺周期长、能量消耗高，而且对性能调控、多材料体系集成共烧产生不利影响。研究烧结温度低、效率高且性能优异的电子陶瓷已经成为全球范围内研究热点之一。2016年提出的冷烧结具有极低的烧结温度(一般≤300℃)，可在短时间内实现陶瓷高致密化，且在物相稳定性、复合共烧以及晶界控制等方面有着优势，为超低温烧结技术以及新型电子陶瓷材料的开发提供了契机。本报告从冷烧结的发展概况出发，介绍冷烧结工艺参数、烧结机制，详细阐述冷烧结技术在介电陶瓷及压敏陶瓷的应用及发展情况，并分析冷烧结技术目前待解决的问题，对冷烧结技术的未来发展做出展望。

报告人简介：郭靖，特聘研究员，博士生导师，西安交通大学青年拔尖人才，担任Journal of the American Ceramic Society等期刊编委。分别于2009年、2015年毕业于西安交通大学，获微电子学士学位和电子科学与技术博士学位。2013-2014、2015-2018年在美国宾夕法尼亚州立大学Clive Randall院士课题组进行访学和博士后研究。主要从事于冷烧结、电介质陶瓷、敏感陶瓷及陶瓷基复合材料的研究。主持国家自然科学基金、陕西省自然科学基金等项目7项，作为骨干成员参与国家科技部重点研发等项目9项。在Adv. Mater.、Angew. Chem. Int. Edit.、Adv. Funct. Mater.等国际著名期刊发表论文90余篇，同行引用6100余次，谷歌学术H因子43。已授权中国专利12项、美国专利1项。获美陶Edward C. Henry Award。担任国际学术会议分会场主席4次，并应邀做国际学术会议特邀报告10余次。