报告题目：纳米结构LaB6场发射电子源的研究进展与展望

报告人：美国北卡大学教堂山分校 秦禄昌教授 

时间： 2023年6月7日（星期三）下午4:00

地点：大学城B5副楼-3楼会议室

欢迎广大师生参加。

                                                                                                                               材料科学与工程学院

                                  2023年6月5日

个人简介：秦禄昌教授，美国北卡大学教堂山分校教授。1978年考入中国科技大学少年班，1982年毕业于近代物理系。同年考入中国科学院沈阳金属研究所师从郭可信先生学习电子显微学。1990 年获美国西北大学工学硕士学位，1994 年获美国麻省理工学院科学博士学位（ScD）。自 1986 年起，曾在澳大利亚化学物理研究所、格林菲斯大学、英国布里斯托大学、德国尤利希研究中心、日本NEC 公司、美国阿贡国家实验室、美国 IBM 公司、日本JS等学习和从事电子显微学的研究与应用，包括碳纳米管和纳米金刚石的材料科学研究及计算机硬盘储存系统的生产管理工作。自2001年起任教于北卡大学，现任物理及天文系教授。发表包括Nature、Nature Nanotech.、PRL、JACS在内的论文200余篇，撰写综述及著作10余篇。

摘要：实现高稳定性、高单色性、高亮度这几项基本性能要求是研发新型点电子源的出发点，也是半个多世纪来许多电子源研究项目的目标。第一个在电子显微镜中获得实际使用的冷场发射点电子源是钨单晶。但由于钨具有较高的功函数，使得冷场发射钨电子源在实际使用中稳定性较差及色散较大。为克服这些不足，研发以六硼化镧（LaB6）为代表的其它各类低功函数材料的场发射点电子源一直是场发射电子源领域的一个巨大挑战。本报告重点介绍我们近二十年来在研发纳米结构冷场发射点电子源的先驱性研究工作、实用测试结果与实际应用前景展望。