中国科学院物理研究所王刚研究员：Growth and properties of high-quality single crystals: From wide bandgap semiconductor to high-temperature superconductor and topological semimetal
日期：2019-04-17
浏览量：115
报告人：王刚研究员（中国科学院物理研究所）
报告题目：Growth and properties of high-quality single crystals: From wide bandgap semiconductor to high-temperature superconductor and topological semimetal
报告时间：2019年4月17日（周三）上午10:00-12:00
报告地点：五山校区14号楼205
邀请人：李国强教授
欢迎广大师生参加！
材料科学与工程学院
2019年4月11日
报告摘要：Single crystals not only allow for access to the intrinsic properties of materials to a much higher extent compared to polycrystals and directly reflect the anisotropy of these properties, but also have found increasing applications in modern technology in recent decades. Here I will demonstrate the advantages of high-quality single crystal using three examples. One is the silicon carbide single crystal growth started from scratch and the novel properties of silicon carbide unraveled based on the high-quality crystal. The second is the discovery of high-temperature superconducting family AxFe2Se2 (A = K, Li, Na, Ca, Sr, Ba, Eu, and Yb). The final one is the ultrabroadband photoresponse of Weyl semimetal TaAs at room temperature.
报告人简介：
中国科学院物理研究所研究员，博导，2001年和2004年于兰州大学分别获得学士和硕士学位，2007年在中科院物理所获得博士学位。博士毕业后分别在瑞典和美国做博士后，2009年回到中科院物理所工作，2016-2017年曾在美国Ames实验室访问。主要从事无机电磁功能材料探索、晶体生长与物性研究，在碳化硅晶体生长与物性、新超导体探索和拓扑半金属物性等方面取得了多项创新性成果，在PRL、JACS、AM等学术期刊发表SCI论文71篇。2013年获得国家自然科学基金委优秀青年科学基金支持。
附件：
无