时间：2016年6月22日（星期三）15：00
地点：材料科学与工程学院14号楼205会议室

报告摘要：
       在Si衬底上外延生长GaAs等III-V族化合物，将使III-V族基光电子器件与Si基微电子器件单片集成成为可能。同时，用Si衬底取代昂贵的GaAs衬底，将大大降低器件的成本。然而在Si上生长GaAs是困难的，因为它们的晶格常数和热膨胀系数差异大，多年来研究进展不大。 本报告介绍近年来在Si上外延生长Ge和GaAs方面所取得的新进展，包括Si/Ge晶格失配外延，Si/InAs/GaAs量子点1.3微米激光器，Si/GaAs量子线，Si/GaAs/GaInP叠层太阳电池，以及Si/GaAs CMOS器件等。

附廖显伯教授简历：
       廖显伯，中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师，曾任中国科学院凝聚态物理中心研究员。1963年四川大学物理系毕业，一直在中科院半导体所工作。主要从事非晶硅，纳米硅，光伏太阳电池，以及温差电致冷的研究。曾荣获全国科学大会重大科技成果奖，中国光伏荣誉奖，中国科学院自然科学奖和科技进步奖。1983-1985年赴德国Stuttgart大学留学， 2006年从中科院半导体所退休，受聘为美国Toledo大学物理天文系研究教授，研制的硅基薄膜电池效率达14.6 %，为国际先进水平。在国内外重要刊物上发表论文一百多篇，获多项中国和美国专利。1991年起享受国务院政府特殊津贴。