报告题目：自旋零带隙半导体的新的进展及物质密码模型在新材料及新性能的大设计中的应用

报告人：王晓临教授

时间：2016年12月19日（星期一）上午11点
地点：北区发光材料与器件国家重点实验室502会议室

摘要：

当前，我们正处于充满挑战和竞争的时代。如何发现更多新材料、新特性和新器件是代表全球科学研究和战略发展的大趋势之一。本报告在总结新材料和新特性发展前沿的基础上，讨论设计和开发新材料的新观点和正在尝试的新方法。物质、材料及性能越来越复杂，应该还有更多的新材料、新物质、新粒子、以及奇异性能存在，并等待探索。它们是什么？它们还有多少？如何找到它们？本报告会共同探讨一下这三个材料和性能探索的终极问题。希望对设计新型电子材料，自旋电子材料，多电功能材料，以及设计新型电子，自旋，光学等特性，包括对材料基因组研究等方面有所借鉴。

本报告也汇报我们在高压诱导大幅度提升铁基超导电流的结果及其物理机制，RashbaBiTeCl体系中的费米面拓扑转变的结果，silicene, 热电，以及多铁研究的一些重要结果。着重讨论自旋零带隙半导体的新的进展，提出一些新的物理概念及其在下一代自旋电子学中的应用。讨论自旋零带隙半导体是理想反常量子霍耳效应的平台，也提出新型霍耳效应。

报告人简介：

王晓临，澳大利亚Wollongong大学，超导与电子材料研究所教授，自旋与电子材料研究组组长，澳大利亚物理学院 Fellow, 澳大利亚国家教授级未来学者。

山东大学物理系和晶体材料所物理本科及固体物理硕士，2000年在澳大利亚Wollongong大学获材料科学博士学位。曾先后在奥地利、日本、美国著名大学研究机构从事研究工作。研究领域广泛，涵盖新型功能材料的设计及其试验和理论研究、涉及超导材料、自旋电子材料，磁性铁电材料，多铁电体，热电材料等。尤其在新材料设计上有独到见解，在国际上首次独创提出了自旋零带半导体(Spin gaplessSemiconductors) 新型材料及其丰富物理现象的概念，已在国际上被试验和理论验证。在国际著名杂志上发表论文超过3百篇，很多重要文章发表在Nature Materials, Science Advances, Physical Review Letters, Advanced Materials, Nano Letters, AngewandteChemie, Advanced Functional Materials, Physical Review B, Applied Physics Letters 等杂志上。论文引用近6000多次。组织过多次功能材料方面的国际会议并担任会议主席。曾获得英女王伊丽莎白二世学者称号、美国材料学会和国际超导技术中心奖，和 WOLLONGONG大学校长合作奖。近年来以项目带头人身份承担了十多项澳大利亚基金项目，项目经费超过1000万澳元。现是澳大利亚物理学院 Fellow, 澳大利亚国家教授级未来学者。