设备名称：等离子体增强原子层沉积设备
英文名称：Advanced Atomic Layer Deposition Systems
型号：R-200 Adv
国别：芬兰
公司名称：Picosun
重要指标：
1.设备腔体内具有压强传感器，压强极限可以到0-2hpa。真空腔体压强传感器测量范围包含：0-1000hpa。ALD反应中，真空腔体的压强范围在7-15hpa，始终比反应腔体压强高。
2.前驱体气体在衬底上的流动模式：气流通过喷头自上而下流经样品表面
3.设备配置6条完全独立的前驱体源管路，分别对应反应腔体上6个完全独立的前驱体源入口。
4.设备配置的每条源管路均须配置独立的质量流量计（MFC）、压强传感器、脉冲阀，液态源与加热源分别配置独立的温度传感器。每条管线分别与载气连接，用于提高脉冲的前驱体流速并使前驱体均匀分散到衬底上；质量流量计（MFC）的测量范围满足0-500 sccm，流速可预设；各条源管路上的压强传感器测量范围满足0-100hpa。
5.软件及其功能：操作界面友好，采用PLC，无需使用编程语言，具备程序储存、读取功能，能够输出实验数据，保存24小时设备运行日志。
6.设备主腔体采用双腔（真空腔+反应腔）热壁反应腔室设计设备主腔体采用双腔（真空腔+反应腔）热壁反应腔室设计，真空腔体外壁无需水冷即可保持温度低于60摄氏度（确保人体接触安全）。
7.通过真空腔内的加热部件同时对衬底与反应腔体壁辐照加热，衬底与反应腔各部位均可被加热至450℃，衬底配置额外的高温模块可单独加热至600℃以上，温控精度满足±1℃以内。
8.反应腔体可以用来沉积8英寸（200毫米）的衬底，兼容8英寸以下的衬底。
9.反应腔体及真空腔体的密封盖通过电动升降机自动开关。
配置O2\NH3气态源脉冲系统各一套，包括管道与脉冲阀门装置等。
采用远程等离子体源。频率：1.7-3MHz,等离子体发生器最大功率3000W，等离子体发生器与基底必须保持足够距离（>600mm）以减少离子轰击对基片造成的破坏效应。
用途：
主要用于在各种平面（含复杂形状）或三维基底（模板）上制备高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜（Al2O3, TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, ZrO2, AlN, TiN, 以及金属 Pt 或者 Ir 等）
