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图1基于FBDOPV-CNTVT的超低阈值电压的n-型有机电化学晶体管
近期,华南理工大学前沿软物质学院郭子豪副教授团队通过双吸电子策略合成了具有超低最低未占有分子轨道(LUMO)能级的共轭聚合物FBDOPV-CNTVT。以FBDOPV-CNTVT为活性层的有机电化学晶体管(OECTs)器件刷新了增强型n-型OECTs器件阈值电压的新记录(7.5 mV, 图1-图2)。超低阈值电压对于降低OECTs器件的功耗和探测低电压的生物-电子信号至关重要。该工作以“Ultra-Low Threshold Voltage in N-Type Organic Electrochemical Transistors Enabled by Organic Mixed Ionic-Electronic Conductors with Dual Electron-Withdrawing Substitutions”为题发表在《Adv. Funct. Mater.》上(Adv. Funct. Mater. Doi:10.1002/adfm.202412181)。
图2 对比基于FBDOPV-CNTVT和文献中报道的一些结构的n-型OECTs器件的性能
文章第一作者是华南理工大学博士研究生丁日庆和南方科技大学硕士研究生张夏格。华南理工大学的郭子豪副研究员、南方科技大学的冯奎副教授和韩国高丽大学的Han Young Woo教授为共同通讯作者。该研究也得到南方科技大学郭旭岗教授的支持和指导。该研究获得了国家自然科学基金、广州科技发展计划项目、中央高校业务费和发光材料与器件国家重点实验室(华南理工大学)的共同资助。
Ultra-Low Threshold Voltage in N-Type Organic Electrochemical Transistors Enabled by Organic Mixed Ionic-Electronic Conductors with Dual Electron-Withdrawing Substitutions
Riqing Ding#, Xiage Zhang#, Ran Yan, Meishan Peng, Shengyao Su, Sang Young Jeong, Han Young Woo*, Xugang Guo, Kui Feng*, Zi-Hao Guo*
Adv.Funct.Mater.,2024,DOI:10.1002/adfm.202412181
原文链接:
https://doi.org/10.1002/adfm.202412181
转载:高分子科技
初审:郭子豪
复审:康德飞
终审:王林格