吴锐教授团队在《Nature Electronics》上发表磁电复合材料最新研究

随着数字技术的迅速发展,到 2030 年,信息通信技术将消耗全球总电力的 20%。世界各地的数据中心所用电力预计将占其中的三分之一,这将超过许多国家的所有能源消耗。磁电耦合效应允许材料的磁化强度由电场控制,反之亦然。由于器件工作时通过的电流极小,与传统的电流驱动的自旋存储器件相比,能耗可以降低 2 个数量级。除此之外,该效应如果被用于存算一体神经形态计算,还可以通过最大限度地减少中央处理器和内存之间的物理分离(即“内存墙”,存在于冯·诺伊曼-架构的计算机中)而显著降低器件功耗。然而,虽经过近20年的紧张研究,目前仍然没有一个适用于磁电随机存储器件的材料系统出现。这样的系统要求在没有任何偏置磁场的情况下,可以在室温下产生相当大的逆磁电耦合效应(即电场对磁性的调控),并且具有极低的漏电。 吴锐教授和来自剑桥大学等国内外研究机构的合作者,在此项工作中取得了里程碑式的成果。他们通过非常简单的生长过程,完成了自组装垂直取向的三相纳米复合材料(即“1-3”型磁电复合结构)的“一蹴而就”式的制备,从而无需像制备复杂的电子材料那样精确控制薄膜结构(图1)。薄膜阵列中良好分离的纳米柱子非常适用