报告题目：集成电路制造中的图形化技术与装备

报告人：白若冰（上海交通大学助理研究员）

报告时间：2026年7月8日（周三）9:30-10:30

报告地点：广州国际校区C3c-204

邀请人：董学会

主办单位：前沿软物质学院

报告摘要：

　　本讲座聚焦集成电路制造中的核心图形化技术，系统介绍光刻技术的基本原理、关键装备与工艺协同优化方法。重点围绕193nm浸没式光刻、极紫外（EUV）光刻、计算光刻（包含光源掩模协同优化SMO、光学邻近效应修正OPC等）、光刻材料（光刻胶及配套层）以及新型自组装图形化技术。讲座还将结合实际案例，探讨光刻工艺良率控制、光源-掩模-工艺协同优化、光刻设备与材料国产化等产业痛点，并展望面向2纳米及以下节点的光刻技术发展方向。

个人简介：

　　白若冰，博士，上海交通大学助理研究员。主要研究方向为光刻材料、光刻工艺与光刻设备，长期致力于先进半导体图形化技术研究，拥有七年海外留学经历。曾任职于华为2012实验室，长期负责ASML浸没式光刻机工艺开发、制程优化及光刻材料验证工作，深度参与多项光刻材料国产化攻关项目，在光刻工艺研发、技术集成与产业化验证方面积累了丰富的工程实践经验。目前主持上海市科技创新行动计划启明星项目，作为核心骨干参与上海市基础研究计划集成电路专项，同时承担多项光刻图形化技术横向科研课题。在《Advanced Functional Materials》《Advanced Science》等国内外知名期刊发表论文十余篇，以第一发明人申请发明专利4项，在先进光刻与半导体微纳制造领域，具备学术研究与产业实践经验。