内存：内存颗粒主要被韩国、美国垄断，硬盘行业也被国外垄断。集成电路材料和器件，所有的半绝缘碳化硅衬底、导电衬底及外延片是0，主要从美国进口。MEMS器件玻璃粉封装，自给率0%，电子信息功能陶瓷材料自给率0，都是在国外进口。高性能氮化物陶瓷粉底及基板自给率也是0，光刻胶自给率只有5%等等，高纯石英玻璃及制品、探测用的人工晶体主要来自于国外。

新一代信息技术产业需要重点补充短板的材料一大堆，特别是193纳米光刻胶完全空白。2025年我们制定了硅及硅基半导体材料发展重点目标，这是国家新材料重大专项方案刚刚出来编制，我们向国务院和科技部做了汇报，300毫米硅片产品由14nm提升到7mn水平等等，这是2025年的目标，特别是在新型半导体材料上，我们希望换道超车，比如说开发三维RRAM器件材料体系与结构单元，或包括1G到5G更高容量的磁性随机存储芯片等等。

光电子器件。主要面向宽带光纤通信网络、物联网、数据中心、无人驾驶等等，但是硅基光电子集成芯片技术、混合光电子的集成技术，包括微波与光波的技术非常重要，成为我们当前的掣肘技术。如果我们在10个GP以上，速率光电子器件国产化几乎为零，光电子器件研发中心技术高、更迭迭代快，所以需要长期积累。中兴在光传输、数据通信和宽带接入等信息通信系统，光光交换、光复用收发器件与模块，从美国采购的光电子芯片与器件每年总金额达到31亿美元，占总采购额53%。

举例，中兴通讯卡脖子的产品，高速激光器芯片等等，100、200Gb/S相干光调制解调芯片，还有窄线可调激光器芯片全部进口。

光电子器件和集成是我们通信5G发展的关键。建立标准化的集成工艺标准，光交换和光互连的核心芯片集成技术已进行重点突破。我们必须要在超100G光传输技术上，大踏步前进，这里光电子和微电子的融合支撑产业升级和高质量的发展是我们要选择的一个道路。比如说氮化物半导体是唯一覆盖红外到紫外波场范围的半导的体系，包括Micro-LED新型显示技术。另外发展宽带同心合新型网络优势。我们移动通讯、新一代网络，特别是五代通讯网络在超高速、大容量、智能光传输和光交换方面一定要达到国际的高端水平。我们的光带通讯和信息网络要超低延伸了无线联通设计技术，大规模的天线配置等等，网络化系统，去蜂窝化、个性化和云化方面也比较取得突破。