报告题目：超宽禁带氧化镓半导体外延薄膜能带调控与光电器件研究

报告人：张洪良 教授

邀请人：吴锐 教授

时间：2024年12月26日 10:30 - 12:00

地点：广州国际校区 C2a-207

欢迎广大师生踊跃参加。

报告摘要：

近年来，以氮化镓、碳化硅等为代表的第三代半导体材料凭借其禁带宽度大、击穿场强高等优越特性，逐渐在新能源汽车、5G通信和航空航天等领域获得重要应用。氧化镓(Ga₂0₃,)是一种新兴超宽禁带半导体(禁带宽度为4.9 eV)，具有比氮化镓、碳化硅更宽的禁带和更高的击穿场强，是新一代低损耗大功率电子器件和日盲深紫外光电探测的优选材料，被誉为“第四代”半导体。由于氧化镓半导体的产业前景，2022年8月美国和日本相继对中国实施氧化镓材料和器件出口禁运。氧化镓半导体产业链包括单晶衬底、外延薄膜、器件制作等环节。其中，单晶衬底和外延薄膜是整个产业链的核心关键，其品质直接决定器件性能。本报告将简要介绍超宽禁带半导体材料，氧化镓发展现状，然后重点介绍我们团队在氧化镓薄膜外延、掺杂与缺陷机制以及日盲深紫外光电探测器件等方面的研究进展。

报告人简介：

张洪良，厦门大学化学化工学院教授，2003年本科毕业于山东大学信息学院光信息科学与工程专业，2008年获得新加坡国立大学凝聚态物理专业硕士(2008)，2012年获得英国牛津大学无机化学博士学位。研究方向为超宽禁带半导体薄膜外延，能带调控及光电器件。迄今已在NatureElectronics、Nat. Commun.、Phys. Rev, Lett.、J.Am. Chem. Soc.、Adv. Mater.等期刊发表论文150余篇，申请专利15项，出版著作(专译著)1部。主持及参与国家重点研发计划课题、国家自然科学基金委基金、企业合作研发等项目8项。曾获国家高层次人才“青年项目”、剑桥大学Herchel Smith Research Fellowship、台湾积体电路制造公司(TSMC)最佳国际研究生科研奖。