报告题目：超高迁移率二维半导体在低温电子学的应用探索

报告人：韩拯 教授 

邀请人：吴锐 教授

时间：2024年7月10日 15:30 - 17:00

地点：广州国际校区 C2a-207

欢迎广大师生踊跃参加。

自旋科技研究院

2024年7月8日

报告摘要：

寻找实现高迁移率二维半导体的方法或材料体系，是凝聚态物理乃至纳米电子学的一个重要研究方向。

众所周知，自量子霍尔效应首次在量子阱高迁移率二维电子气中被发现以来已逾40年。截止目前，人们已知可实现量子霍尔或分数量子霍尔效应的二维电子体系依然非常有限。其中，高迁移率二维本征半导体的低温基态在电输运上尤为难以实现，主要瓶颈在于欧姆接触的获得非常困难。

本报告将介绍我们在二硫化钼的N型半导体场效应晶体管的低温欧姆接触稳定可靠制备方面的最新进展，相关器件在mK温度、强磁场下可观测到填充系数niu=1的量子极限和⅖、⅘填充的分数量子化横向电导平台[1]。这是能够通过电输运（除拓扑转角电子体系外）观测到分数量子霍尔效应的首个二维本征带隙N型半导体材料。该实验结果为基于二维半导体的低温基态下高迁移率电子晶体管（HEMT）、低温放大器等纳米电子学器件提供了可能。

[1] S. Zhao, et al., arXiv: 2308.02821(2023).

报告人简介：

韩拯，教授，博士生导师，现就职于山西大学光电研究所。主要在新原理低维量子器件方面开展研究，在Nature、Nature Nanotechnology、Nature Communications等杂志发表论文60余篇。先后入选国家级海外青年人才计划、国家级领军人才计划；曾获“山西省五四青年奖章”、“山西省五一劳动奖章”、“MIT科技评论中国区35岁以下创新35人”等荣誉。