报告题目：非易失性存储薄膜的极化调控研究 

报告人：王晓蕾 教授 

邀请人：吴锐 教授

时间：2024年7月8日 15:30 - 17:00

地点：广州国际校区 C2a-207

欢迎广大师生踊跃参加。

自旋科技研究院

2024年7月5日

报告摘要：

作为信息时代的重要发展方向，非易失性存储已被纳入我国“十四五”信息化规划。非易失性存储器断电时数据不丢失，并具有读写速度快、运行功耗低等优势。然而，由于面临存储墙、稳定性、功能集成等问题，如何开发性能优异、功能拓展、可靠性高的非易失性材料，是必须要解决的关键科学技术问题。本人对此开展深入研究，取得了以下创新成果：(1) 开发了单相铁性忆阻材料的应力感知、频率调控和时空分辨等功能，存储窗口较传统闪存提升了6倍，能耗仅为现行CMOS的千分之一。(2) 发展了界面钝化技术，解决了半导体界面电导失配问题，获得了98%的自旋注入效率，制备了写入速度快（3.6 ns）、功耗低（1.2 pJ）且制备简单的自旋芯片。(3) 通过原子占位设计实现了反铁磁晶体结构、拓扑性质和自旋取向的精准调控，载流子浓度变化超过1个量级，各向异性磁电阻效应提高了5倍。以上工作通过优化材料性能、提高器件效率和拓展存算感功能，实现了存储器变量在多稳态之间的切换，获得了高速度、低功耗、高效率的非易失性存储器。

报告人简介：

王晓蕾，北京工业大学教授，博导，教育部青年长江学者。于2006年在西北工业大学物理系取得学士学位，2010年在中国人民大学物理系获得硕士学位，2013年博士毕业于香港城市大学（与剑桥大学联合培养）。在中科院半导体所超晶格国家重点实验室工作6年，2019年以高层次人才入职北京工业大学。十几年来聚焦信息存储材料的调控、功能器件的制备及自旋芯片的开发，发表论文65篇，引用1300余次，单篇引用超百次论文3篇。其中第一/通讯作者论文29篇，近五年18篇，包括Nature Communications（2篇，1篇为ESI高被引），以及Advanced Materials（卷首）、Nano Letters（封面）等。近五年相继主持国家自然科学基金面上项目2项、中科院人才专项（中国科学院青年创新促进会）、北京工业大学高层次人才项目等，参与国家重点研发计划1项。担任北京光学学会青年工作委员会副主任，国际杂志Journal of Superconductivity and Novel Magnetism (Nature出版社)副主编，Engineering Reports (John Wiley & Sons出版社)青年编委，以及中国期刊《稀有金属》青年编委等学术职务。