题目：低损耗功率MOS器件结构及其可靠性与建模

时间：2024年6月5日15:00

地点：国际校区C1-b114

主讲人：乔明

乔明，博士，二级教授，博士生导师。教育部“长江学者奖励计划”特岗学者，天府万人计划科技领军人才。曾担任海思、华为、华润集团、华润微电子、士兰微电子等企业特聘专家。长期从事功率半导体器件，功率高压集成技术，功率高压集成电路，功率器件可靠性，抗辐射功率器件及高压集成技术，高压ESD防护技术，功率器件建模研究。获国家科技进步二等奖、四川省科技进步一等奖、工信部技术发明二等奖等国家、省部级科技奖励7项，华为海思模拟开发部“最佳技术合作伙伴奖”，华为“难题揭榜”火花奖。发表论文200余篇，以第一发明人授权美国专利11项、中国发明专利100余项。受邀曾担任IEEE ISPSD、IPFA、ICSICT、IEDS等国际会议TPC或Session Chair，《Microelectronics Journal》、《微电子学》等期刊编委。研究成果在LED照明、汽车电子、消费电子、飞机等重点装备产生了显著的社会和经济效益。

讲座内容：

功率MOSFET是一种重要的半导体器件，在现代电子设备中发挥着关键作用。它因其高效能、快速开关速度和低导通电阻等优点，广泛应用于各种电力电子领域。本报告主要结合报告人工作实际，介绍功率MOS分立器件（包括SJ MOS、SGT MOS、Trench MOS、Smart MOS）和可集成高压LDMOS器件等低损耗结构，以及结构相关的可靠性（包括HCI、辐射等）和器件建模，并进行相关问题的探讨和展望。