题目：下一代沟道材料MOSFET研究

时间：2024年6月18日10:30-12:00

地点：国际校区C1-b114

主讲人：柯梦南

柯梦南，日本国立东京大学工学博士，现任日本国立千叶大学长聘教轨助理教授，长年从事后摩尔时代新沟道材料晶体管研究工作。与日本产业技术综合研究所AIST，东京电子TEL在晶体管方面展开全面合作。在锗，硅锗，TMDC等新沟道材料，新原理晶体管领域以第一作者和通信作者身份发表多篇行业顶尖杂志和学会论文如（IEDM，IEEE TED，APL，ACS AEM等），获国家优秀自费留学生奖，东芝学术奖励，安藤博纪念学术奖，应用物理学会青年科学家报告奖等14项。以项目代表身份获得日本国家和民间资助13项。

讲座内容：

报告人长年对后摩尔时代高性能锗晶体管的物理及工艺展开了深入研究。由于当前锗栅结构中存在大量的慢速陷阱，这对晶体管可靠性产生了重要的影响。报告人在保证极薄，极低界面陷阱锗栅结构的前提下，首次提出了利用电容-电压曲线系统地对锗栅结构的慢速陷阱进行量测分析，以及物理解释。指出多种常用高K电介质锗栅结构慢速陷阱的起源，以及等离子体氧化氮化，Y原子修复缺陷等标准工艺方法，为实现高性能高可靠锗栅结构和锗CMOS技术提供工艺指导和理论基础。