题目：自旋拓扑磁结构基础研究及应用

时间：2024年5月22日（周三）16:00

地点：国际校区B1-c101

主讲人：周艳

周艳，2003年毕业于中国科学技术大学（本科），2009年博士毕业于瑞典皇家工学院。2015年入选国家特聘青年专家，2016年起任职香港中文大学（深圳）副教授，2020-2022期间担任理工学院负责科研的助理院长。2022年起任职香港中文大学（深圳）教授。以第一或通讯者发表JCR Q1论文100余篇，引用13300余次，H 因子为55。周艳教授长期担任Review of Modern Physics, Nature，Nature Materials, Nature Physics、Nature Nanotechnology、PRL等杂志审稿人。曾多次获邀在美国材料学会、美国物理学会、中国物理学会做邀请报告， 亦受邀为国家自然科学基金委、法国国家研究署、德国科学基金会、欧盟基金、深圳科创委评审项目。

讲座内容：

拓扑磁结构在自旋电子技术领域的应用前景令人充满期待，特别是将多样化的拓扑磁结构作为信息载体的自旋电子功能器件，展现了极大的应用潜力。我们预见，在未来的设备设计中，将不限于使用单一斯格明子作为信息的载体，而是有望在同一设备中融合多种不同的拓扑磁结构，以实现更为高效和复杂的信息处理功能。这一探索途径创新性十足，但也面临着如何在一个器件内部高效融合及调控不同拓扑磁结构的转换这一核心技术挑战。本报告聚焦于探讨如何在单一器件中实现斯格明子与嵌套磁斯格明子之间的可逆转换，这两种独特的拓扑结构可分别代表二进制的“0”与“1”比特信息。通过这种方式，不仅为构建非易失性的多态存储器芯片提供了新思路，也为其他先进自旋电子设备的设计与实现开辟了道路。研究成果将推动自旋电子学领域向着更高的信息处理效率和更广阔的技术应用领域迈进。