实验室第十期仪器设备定期培训通知

发光材料与器件全国重点实验室将于2026年7月9日（周四）举行第十期仪器设备定期培训，欢迎广大师生踊跃报名！

培训仪器：场效应晶体管光电测试系统

主 讲 人：邓剑

培训时间：7月9日下午3:00-5:00

培训地点：全重402会议室

报名时间：截至7月8日晚上12点

报名方式：扫描下方二维码报名（为保证培训质量，前往的师生请一定先进行报名）

场效应晶体管器件光电综合测试系统仪器介绍

●仪器信息

品牌：自主搭建（基恩士高分辨显微镜 / Keysight半导体分析仪 / Andor光谱仪 / ANTCH脉冲电压设备等）

型号：定制系统

放置地点：发光材料与器件全国重点实验室S103

管理员：邓剑

●应用领域

该系统可广泛用于场效应晶体管（FET）的IV特性表征、微型器件及材料的微观形貌拍摄、场效应发光晶体管的光电同步测试，以及各类电子器件与功能材料的阻抗谱全域扫描测试。此外，搭载的纳秒级脉冲电压源可应用于器件的高速开关特性测试、瞬态响应分析、击穿特性研究及可靠性加速老化测试。适用于半导体材料、有机电子材料、光电功能材料、柔性电子器件等领域的前沿研究和产品开发。

●功能简介

1.IV曲线扫描：利用半导体参数分析仪和探针台，可对场效应晶体管等器件进行完整的电学特性表征；

2.显微形貌观测：通过高分辨显微镜（Keyence VHX‑900F），可对微型器件或材料的表面形貌进行高倍率、超景深拍摄与记录；

3.光电同步测试：结合光谱仪与电学测试模块，可同时获取场效应发光晶体管在电激励下的光谱响应和电学性能；

4.阻抗谱全域扫描：利用阻抗分析仪配合自主编写的自动化采集软件，可对各类器件进行宽频段、高精度的阻抗谱测试，并支持高通量的数据处理与解析；

5.纳秒级脉冲测试：搭载ANTCH品牌纳秒级脉冲电压设备，支持脉冲宽度7～35ns、最大输出电压500V，可对器件开展高速开关特性测试、瞬态响应分析、击穿特性研究和可靠性加速老化测试，适用于功率半导体、新型电子器件及介电材料的高压脉冲性能评估；

6.系统支持两种操作模式：一是完全人工控制各设备进行数据采集，二是使用自主开发的综合仪器控制系统实现多设备同步控制、自动化数据采集与处理。

●技术参数

1.高分辨显微镜：超景深三维显微系统，放大倍率50×～500×（可扩展至更高），高分辨率CMOS，支持2D/3D形貌观察与测量；

2.高分辨光谱仪：焦距303 mm，通光孔径f/4，焦平面尺寸28 mm×14 mm，光谱分辨率0.1 nm，波长精度0.04 nm；

3.半导体参数分析仪：电流测量范围0.1 fA至1 A，电压测量范围0.5 μV至200 V；

4.阻抗分析仪：频率范围20 Hz至10 MHz（可升级选件），基本阻抗测量精度±0.08%（典型值±0.045%），阻抗测量范围25 mΩ至40 MΩ，内置±40 V直流偏置源；

5.脉冲电压设备：支持纳秒级脉冲输出，脉冲宽度7～35 ns，最大输出电压500 V；

6.纳米压印机：支持热压印/UV压印等方式；

7.手套箱系统：保持器件在水氧均不超过0.1 ppm环境下测试。

●送样要求

1.单晶样品：长度100微米以上，厚度建议1微米以下，表面光滑，显微镜下无裂痕等明显缺陷；

2.块体/薄膜样品：表面需平整，使用滴涂/旋涂/刮涂/SMICFF等技术制备；

3.待测器件：请提前告知电极布局和测试需求（IV/阻抗谱/光电同步/脉冲测试等），以便提前配置探针台和脉冲设备；

4.如需微纳结构制作，请提前沟通纳米压印的图案模板。

●预约方式

1.校内预约请通过华南理工大学大型科研仪器开放共享平台：https://yqgxgl.scut.edu.cn/（搜索“场效应晶体管器件光电综合测试系统”或联系管理员）

2.预约咨询QQ：97097320；微信：cbwgij1988；

3.收样地点：华南理工大学北区科技园1号楼发光材料与器件全国重点实验室（S103或W212）；

4.收样时间：工作日上午8:30‑12:00，下午2:30‑5:30。