美国工程院院士、OLED 发明人邓青云教授应邀访问发光材料与器件国家重点实验室并做学术报告

1月16日，美国工程院院士、OLED 发明人、美国Rochester 大学邓青云教授应邀访问发光材料与器件国家重点实验室。

在彭俊彪教授的主持下，邓青云院士为国重室师生做了题目为“Review of OLED material and device Issues”的学术报告。邓青云院士从OLED产业化进程中面临的问题出发，深入浅出地介绍了OLED发展的历史及其现状，分析了OLED作为新一代显示技术的优点和存在的问题，着重讲解了若干个OLED 进一步产业化发展需要解决的问题：根据他个人的研究经历和研究成果，详细阐述了关于OLED 寿命影响因素的研究心得，指出器件界面层的物化特性对器件的寿命影响重大；同时指出蓝光材料的较高的光-电转换能和较低的分子键能之间的矛盾是影响蓝光器件寿命的重要因素。

报告前，曹镛院士陪同邓青云院士参观了国重大楼。

邓青云院士简介：

邓青云博士，美国工程院院士， 2011年沃尔夫奖(化学奖）获得者，华南理工大学名誉教授。1975年于康奈尔大学获得博士学位，随后进入柯达公司研究部，长期从事有机电子学器件领域的研究， 2006年从柯达公司退休，被聘为罗切斯特大学Doris Johns Cherry教授。邓青云教授是当今国际上蓬勃发展的有机发光显示及有机白光照明器件技术的奠基人。他于１９８７提出采用给受体异质结结构作为发光器件活性层，在柯达公司率先实现了高效、低工作电压、结构简单的有机电致发光器件(OLED)。他早在1986年(在发现OLED之前)提出了双层异质结有机太阳电池的重要新概念，被公认是OLED和有机异质结太阳电池的开创者。邓青云博士在有机发光、太阳电池、静电照相等方面已获得86项授权美国发明专利，发表超过200余篇论文，至今他引超过20000余次。