P120 L-MBE激光分子束外延系统

仪器负责人：王剑斌

放置地点：超净室

1. 设备简介

激光分子束外延（L-MBE）技术是近年来发展起来的一项新型薄膜制备技术，美国Neocera公司出厂的P120 L-MBE激光分子束外延系统，可以将普通分子束外延（MBE）的超高真空、原位监测的优点和脉冲激光沉积（PLD）的易于控制化学组分、使用范围广等优点结合起来，能制备高质量的薄膜。激光分子束外延（L-MBE）技术是制备高性能半导体器件，开发新材料的必需设备，通过控制薄膜制备过程中的工艺条件如气体流量、工作气压、激光能量等能使器件的性能完全不同。

2. 设备参数

• 样品台可连续回转，转速可调范围5～60转/分，转速不均匀性≤1转/分；

• 样品台加热系统的加热温度可调范围RT～1000℃，控温精度±5℃,加热不均匀性≤1℃；(要求在真空环境或者氧气、氩气等一种或两种气氛情况下)；

• 带有厚度监控系统，能在电脑上实时监控膜厚；

• 进样室：极限真空≤5×10^-5Pa；系统短时间暴露大气并充干燥氮气后，再开始抽气，20分钟可达5×10^-4Pa；

• 准分子脉冲激光器最大脉冲能量: ≥700 mJ；最大脉冲频率: ≥10 Hz；脉冲宽度: ≤25ns；

• 包含三路独立的气流通道（氧气、氮气或氩气）

• 具有多靶共沉积模块：可以能实现3个靶材同时沉积，并能实现来自不同靶材的成分比例不同的薄膜的制备