时间：2015年12月2日（星期三）下午15：00
地点：材料科学与工程学院14号楼205会议室

附报告人简介：
       冯哲川教授2015年2月自台湾大学光电所暨电机系（任教授11年）退休，即受聘于广西大学物理科学与工程技术学院，任杰出教授。建立并领导光电子材料与探测技术实验室。团队目前包括4名教授，3名讲师，1名研究助理和12名研究生，并希望招收新的博士后，讲师及教授等。光电子材料与探测技术实验室目前工作在半导体物理与光电技术领域，着重于研究宽禁带和化合物半导体材料及相关材料与微纳结构暨器件的物理研究以及相关光电子技术，外延生长及光电子学特性、基于宽禁带半导体材料的光电转换器件的构造及性能调控，及其在深紫外日盲区光电子探测器方面的应用。实验室平台建设，在半年多已建立起多套的新光电子材料的光谱检测设备：例如，宽光谱全穆勒矩阵椭偏光谱仪 (193nm-1700nm,77K-870K)；深紫外-紫外激光器 (266nm,360nm,405nm) 及微区光致荧光谱仪；时间分辨荧光光谱仪；微区拉曼光谱仪；光调制反射谱仪；10-300K和77K-870K低温变温光学测试系统等。将能进行较完善的先进光电子材料的宽光谱范围及变温的椭偏、拉曼、光致荧光、时间分辨光致荧光、光调制反射及吸收谱学测试及研究。并结合同步辐射X-光吸收、卢瑟福背散射、X-光电子能谱技术、计算机理论仿真等深入研究各种宽禁带和化合物半导体材料与结构，特别是深紫外太阳光盲材料的基本物理特性。希望对于以上复合材料的改进提供贡献，例如：探索不同的长晶方法，研究生长过程的缺陷和问题，深入其物理机制和了解光学及结构实验上的发现，探索新路径以控制生长过程中产生的缺陷，以制成高质量的碳化硅、氮化物、氧化物和其他磊晶材料和器件。在过去约8个月的时间里，我们已产出了20多篇会议论文另加两篇核心期刊论文，以作为训练我们的低年级及入门硕士生进入科学研究领域，以及一些有意义的初步成果，如在三族氮化物，氧化锌，碳化硅及相关材料与器件方面。期望努力深入探索光电子材料与微纳结构暨器件的未知世界。