报告题目：Growth and Fabrication of GaN-based Devices on Si Substrates（ 硅衬底上氮化镓的材料生长和器件制备）
报告时间：2016年1月22日（星期五）下午3:00
报告地点：18号楼二楼213室物理学院学术报告厅
报告人：邹新波 博士 （香港科技大学电子与计算机工程学系研究助理教授，香港科技大学高等研究院青年学人）
主持人：傅秀军教授
欢迎广大师生参加。
物理与光电学院
2016年1月20日
附件：
内容摘要：
氮化镓是一种可广泛应用于电子与光电子器件（包括发光二极管，激光器，高电子迁移率晶体管等等）中的宽禁带半导体材料。由于缺乏大尺寸的同质氮化镓衬底进行外延生长，氮化镓薄膜通常选择在异质衬底（比如蓝宝石，碳化硅，硅）上进行外延生长。由于硅衬底的低成本，大尺寸，及良好的热导率，所以硅上氮化镓的器件生长及研究近年来受到广泛的关注。然而，硅与氮化镓之间存在着巨大的晶格失配和热膨胀系数差别，所以硅衬底上通过外延生长出高质量的氮化镓薄膜却是非常困难的。
此次报告将着重介绍硅上氮化镓器件的技术进展及其性能分析。 第一部分将介绍在提升硅上蓝光二极管能量转换方面所进行的材料改进及所采用的器件方法。采用一种低成本的铜/锡金属键合方法，我们成功地将硅上蓝光二极管的光电转换效率提升至20% 以上。并且通过这种方法制作的可转移的LED薄膜，可用于下一代可穿戴及柔性光电子应用。第二部分将介绍采用纳米技术而达成的硅上长波长氮化镓二极管。这是世界上第一枚硅上氮化镓基黄光二极管， 中心波长为565纳米，为白光固态照明提供了磷粉以外的另一种选择。本次报告的最后一个部分将包含目前正在进行的氮化镓项目的进展，包括氮化镓功率二极管和横向纳米线的一些工作。
报告人简介：
邹新波博士2007年本科毕业于北京邮电大学电子工程系，2013年获得香港科技大学电子与计算机工程学院博士学位。2013-2014年在香港科技大学高等研究院从事博士后研究。2014年九月起至今担任香港科技大学电子与计算机工程学系研究助理教授。他的兴趣集中在硅上氮化镓薄膜器件及纳米材料的MOCVD生长，表征及器件制备。他已发表期刊论文13篇，并正在承担一项香港优配研究金资助的项目。