报告题目：半导体中的缺陷和杂质调控：从平衡态到非平衡态
报告人：黄兵研究员（中国工程物理研究院北京计算科学研究中心）
主持人：赵宇军教授
报告时间：2020年12月29日（星期二）10:00am
报告地点：物理楼（18号楼）二楼213室学术报告厅
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物理与光电学院
2020年12月21日
附件：
内容摘要：半导体物理的一个核心研究方向就是半导体中的缺陷和杂质调控，这关系到半导体的基础物理性质和实际应用前景。在本报告中，我讲阐述我们课题组在这个领域在过去几年所做的一些工作。在平衡态下，我们提出了一系列完整的理论或者方案来提高杂质的溶解
度、在宽禁带半导体中实现浅掺杂、调控杂质的电子能级位置。最近我们进一步将平衡态下的缺陷理论拓展到非平衡态下，比如研究了表面复杂缺陷重构的形成动力学过程，辐照和离子注入状态下的缺陷动力学演化机制。
报告人简介：黄兵，中国工程物理研究院北京计算科学研究中心研究员，2005年本科毕业于吉林大学，2010年博士毕业于清华大学物理系。2010-2015年在美国再生能源国家实验室、橡树林国家实验室和犹他大学任博士后、研究助理或者研究助理教授。 2015年起在北京计算科学研究中心任特聘研究员和研究员。主要研究领域为半导体物理和计算凝聚态物理，集中在半导体中的缺陷理论发展和半导体中的新奇量子效应，发表论文 80余篇，总引用大于 4000次。
