2016年4月，由邱万奇教授负责购入的高功率脉冲电源正式用于磁控溅射设备，与直流磁控溅射相比 ，高功率脉冲磁控溅射的电源形式不同，脉冲峰值功率很高，占空比很低，平均功率、平均电压和平均电流都不高，能保证阴极低温，不会过热。在溅射过程中，等离子体的密度很高，可达10¹⁸m^-3，靶材溅射材料的离化率较高，并且离子束流中不含有大颗粒，成膜致密，性能优异。最重要的是能够在一定程度上缓解靶中毒现象，减缓甚至消除迟滞效应，使得在直流磁控溅射中难以长时间持续的反应溅射过程的稳定性得到大幅度提高，在沉积氮化物和氧化物薄膜方面有着显著的优势。期间负责新电源的安装调试工作是程奕天同学。