为使应用三社功率半导体器件时,
获得最高可靠性和性能,请注意下列事项
1 短路电流保护
2 阻容吸收电路作过压保护
3 正确的安装与散热
4 门极触发特性(晶闸管,双向晶闸管)
5.使用频率
需了解每一产品的详细情况,请参阅相关技术手册 |
| SYMBOLS
& TERMINOLOGY 符号及专用术语 |
Symbol符号 |
Device器件类型
|
Term
参数 |
| VRRM |
D,S |
反向重复 |
| IDC |
D |
整流输出平均电流(DC) |
| IFSM |
D |
正向浪涌电流 |
| VFM |
D |
正向压降 |
| IRRM |
D,S |
反向峰值电流 |
| IF |
D |
正向电流 |
| I2t |
D,S,T |
电流平方时间积 |
| IT |
S,T |
通态电流 |
| ITSM |
S,T |
通态浪涌电流 |
| dv/dt |
S,T |
断态临界电压上升率 |
| di/dt |
S,T |
通态临界电流上升率 |
| IGT |
S,T |
最大门极触发电流 |
| VGT |
S,T |
最大门极出发电压 |
| IH |
S,T |
维持电流 |
| VTM |
S,T |
最大通态电压 |
| IDRM |
S,T |
断态重复峰值电流 |
| VDRM |
S,T |
通态重复峰值电压 |
| Tj |
D,S,T |
结温 |
| Rthj-c |
D,S,T |
热阻 |
| VISO |
D,S,T |
绝缘耐压 |
| trr |
D |
恢复时间 |
|
|