关于举行于洪宇教授学术报告的通知

报告时间：2023年10月19日（周四）下午16:30-17:30

报告地点：逸夫科学馆504报告厅，华南理工大学五山校区

报告题目：Si基GaN器件及系统研究与产业前景

报告人：南方科技大学于洪宇教授

摘要：以GaN为代表的第三代半导体材料及器件具有优良的高温高压及高频特性，被认为是下一代电力电子和微波射频技术的核心，欧美日等均将第三代半导体纳入国家发展战略规划，并在相关技术热点布局市场。中国第三代半导体产业后起发力强劲，国家“十四五”规划布局第三代半导体，各部委部署研发及产业化支持政策，地方政府积极推动技术创新及产业化，目前已形成了以长三角、珠三角等为代表的产业集群，并在全国布局国家第三代半导体技术创新中心。近年来，报告人在Si基GaN器件及其功率和射频系统应用方向取得了一系列研究成果：1）先进Si基GaN器件工艺：如源漏欧姆接触、界面处理等。 2) 常关型GaN功率器件及电源系统开发：采用PFC技术，已实现65-4000W的高效电源系统。3) 高性GaN射频器件及5G小基站射频前端：可应用于微小基站的高回退效率Doherty功率放大器。4）GaN气体传感器：可在高温环境中实现对CO, H2S, H2等气体及颗粒物的高灵敏度探测。

于洪宇教授简历：

于洪宇，深港微电子学院院长、教授，主要研究集中在集成电路工艺与器件方面，包括CMOS、新型超高密度存储器、GaN器件与系统集成（GaN HEMT）及电子陶瓷方面，发表学术论文近450篇，其中近250篇被SCI收录，总他引次数近6100次，H影响因子为46，编辑2本书籍并撰写了4本专业书籍的章节，并发表/被授予近28项美国/欧洲专利以及80项以上国内专利。成功筹建南科大深港微电子学院（被教育部批准为国家示范性微电子学院）、未来通信集成电路教育部工程研究中心、广东省GaN器件工程技术中心、广东省三维集成工程研究中心和深圳市第三代半导体重点实验室。入选广东省科技创新领军人才，享受深圳市政府特殊津贴，英国工程技术学会会士(Fellow of IET)。