李宗涛/李家声团队发表Micro-LED巨量转移研究成果
发布人:李宗涛  发布时间:2025-01-03   动态浏览次数:57

研究背景与简介

随着微型LED显示技术的快速发展,其在消费电子和照明领域的应用日益增多。然而,大规模转移微LED至目标基板的过程中,如何实现精确定位、保证功能一致性以及提高转移速度和效率,仍是摆在科研人员面前的挑战。激光辅助转移印刷技术(Laser-assisted μTP)因其高精度、快速转移和选择性转移能力而备受关注,但同时也存在因激光暴露导致微型LED损伤的风险。针对这一问题,提出了一种改进的激光辅助转移印刷技术,通过引入新型碳粒子掺杂的PDMS印章(CPD印章),有效解决了这一技术难题。

相关成果在IEEE Transactions on Electron Devices期刊发表(https://ieeexplore.ieee.org/document/10815006),该工作主要由李泽龙、孟嘉豪等同学完成,通讯作者为丁鑫锐。


创新点突出

该团队研发的CPD印章通过掺杂碳粒子增强了印章对激光的吸收能力,减少了微型LED直接接收的激光能量,从而最小化了芯片损伤。同时,印章表面的微结构设计减少了与微型LED的接触面积,降低了初始粘附力,加速了芯片的弹出,提高了转移速度。经过优化,最佳CPD印章展示了高速转移的潜力,芯片从最佳CPD印章上脱落的时间缩短至117毫秒,同时成功转移的微型LED也没有发生退化。


图文导图

图1. CPD印章的工作原理示意图。展示了PDMS基质中嵌入的可膨胀微球和碳粒子的印章结构,以及在激光刺激下印章表面凸起和粘附强度降低的过程。

图2. 超景深显微镜图像。展示了微型LED芯片在CPD印章上激光刺激前后的粘附情况,证实了CPD印章具有可切换的粘附性。

图3. 不同碳浓度的CPD印章对转移时间和激光透过功率的影响。展示了碳浓度变化对微LED转移性能的影响。

图4. 不同可膨胀微球浓度的CPD印章对转移时间和激光透过功率的影响。展示了微球浓度变化对转移性能的影响。

图5. CPD印章表面微结构对粘附强度的影响。展示了有无微结构的印章在粘附强度上的显著差异。

图6. CPD印章与传统印章(TEMS印章)在转移时间和激光透过功率上的性能比较。展示了CPD印章在转移速度和微LED保护方面的优势。

图7. 通过CPD印章和PDMS印章转移的微型LED以及未转移的微型LED的电致发光性能统计。展示了转移过程中微LED的性能保持情况。

图8. 微型LED阵列成功转移到印刷电路板(PCB)上的图像,展示了所有微LED均成功点亮且发光均匀。


结论

本研究提出的CPD印章,结合了快速芯片转移和有效芯片保护的优点。掺杂的碳增强了CPD印章的激光吸收能力,保护微LED免受激光暴露的影响。同时,表面微结构的设计提供了一种简单而有效的方法,以产生弱粘附并更容易地分离芯片,从而提高转移速度。经过优化后的最佳CPD印章展示了高速转移的潜力,且成功转移的微LED没有退化。这项技术的发展有望加速激光驱动转移技术的商业化进程。