Invited lecture 49|南方科技大学韦齐和教授分享分子取向光刻技术进展
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Invited lecture 49|南方科技大学韦齐和教授分享分子取向光刻技术进展
发布时间:2021-07-07        浏览次数:249

 

  76日上午,南方科技大学韦齐和教授受邀到访分子学院(软物质研究院)做主题为“分子取向的光刻技术及其应用”的学术报告,并和与会师生深入交流其课题组在光控分子取向研究中的系列成果。

  报告中,韦齐和教授着重介绍了一种新型的“光刻”技术,即可通过等离激元超掩模对光强和偏振方向的空间分布同时产生调制,并利用它对光敏液晶分子的空间取向进行“刻写”。 “等离激元分子光刻方法分辨率高、产率高,已经带来很多独特的应用” 韦齐和教授表示,控制分子取向是制造所有液晶器件的关键步骤。传统的液晶器件中,分子在基片表面的排列是均匀的。而很多新型的液晶器件,如Pancharatnam光学元件、刺激响应性液晶高分子和可设计的液晶折纸,都依赖于空间上的非均匀分子取向。与传统光刻的掩模板不通,等离子激元掩模板通过产生光偏振方向的空间调制,来诱导偶氮染料分子的空间取向。通过设计偏振方向的空间图案 (即偶氮染料分子的取向图案),可以实现任意需要的二维和三维液晶分子取向图案。随即,韦齐和教授详细介绍了分子取向的光刻技术在液晶平面光学元器件、可编程刺激重构材料、拓扑缺陷工程、活物质等方面的实际应用。

  韦齐和教授长期深耕统计物理、光学、力学、材料工程、传感器、仿生、先进制造等多学科交叉领域。尤其在单通道扩散、纳米粒子等离激元及其耦合、低对称性粒子的布郎运动、活物质的控制、光控分子取向上已发表众多高质量文章。当前研究方向包括微/纳米制造、平面光学元器件、分子图案化、液晶/高分子、活物质、3D打印、仿生技术等。(图文/MoSE AISMST

 


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